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IRF630

厂商名称：ST意法半导体

元件分类：MOS管

中文描述：

功率场效应管，MOSFET，N沟道，200 V，9 A，0.4 ohm，TO-220，通孔

英文描述：

Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab)TO-220AB Tube

数据手册：

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IRF630概述

STMicroelectronics公司的IRF630是一款通孔200V N通道网格覆盖II功率MOSFET，TO-220封装.该功率MOSFET采用该公司MESH OVERLAY工艺设计，基于统一带状布局，该工艺匹配并改善了性能.具有极高的dv/dt能力，极低的内部电容与最小化栅极电荷.

漏极至源极电压(Vds)为200V

栅-源电压:±20V

连续漏极电流(Id):9A

功耗(Pd):75W

工作结温范围:-65°C至150°C

栅极阈值电压为3V

350mohm低导通电阻，Vgs 10V

应用

电源管理，消费电子产品，便携式器材，工业

IRF630中文参数

通道类型	N	晶体管配置	单
最大连续漏极电流	0.375	最大栅源电压	-20 V、+20 V
最大漏源电压	200 V	每片芯片元件数目	1
封装类型	TO-220	最低工作温度	-65 °C
安装类型	通孔	系列	STripFET
引脚数目	3	最高工作温度	+150 °C
最大漏源电阻值	400 mΩ	高度	9.15mm
通道模式	增强	晶体管材料	Si
最大栅阈值电压	4V	宽度	4.6mm
最小栅阈值电压	2V	长度	10.4mm
最大功率耗散	75 W	典型栅极电荷@Vgs	31 nC @ 10 V